APT66M60B2 - MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Hersteller Teilenummer

APT66M60B2

Interne Teilenummer

ABC-APT66M60B2

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

69719 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für APT66M60B2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APT66M60B2

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 330nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13190pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1135W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : T-MAX™ [B2]

Paket / fall : TO-247-3 Variant

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : APT66M60B2.pdf

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