STF25N60M2-EP - MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220FP

Hersteller Teilenummer

STF25N60M2-EP

Interne Teilenummer

ABC-STF25N60M2-EP

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220FP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

152368 Pieces

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Technische Daten für STF25N60M2-EP

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STF25N60M2-EP

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220FP

Serie : MDmesh™ M2-EP

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 188 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.75V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1090pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 30W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220FP

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : STF25N60M2-EP.pdf

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