IXFX360N10T - MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247

Hersteller Teilenummer

IXFX360N10T

Interne Teilenummer

ABC-IXFX360N10T

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

86480 Pieces

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Technische Daten für IXFX360N10T

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXFX360N10T

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247

Serie : GigaMOS™ HiPerFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 360A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 3mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 525nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 33000pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1250W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PLUS247™-3

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXFX360N10T

Datenblätter : IXFX360N10T.pdf

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