STGW30M65DF2 - TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

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TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für STGW30M65DF2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STGW30M65DF2
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 120A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 30A
Leistung max : 258W
Energie wechseln : 300µJ (on), 960µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 80nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 31.6ns/115ns
Testbedingung : 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 140ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : STGW , STGW30

Dokumente für STGW30M65DF2

Datenblätter : STGW30M65DF2.pdf

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