NTJS3151PT2G - MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Hersteller Teilenummer

NTJS3151PT2G

Interne Teilenummer

ABC-NTJS3151PT2G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für NTJS3151PT2G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NTJS3151PT2G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 400mV @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 12V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 625mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SC-88/SC70-6/SOT-363

Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für NTJS3151PT2G

Datenblätter : NTJS3151PT2G.pdf

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