SI7100DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

Hersteller Teilenummer

SI7100DN-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI7100DN-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SI7100DN-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI7100DN-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 8V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3810pF @ 4V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)

Betriebstemperatur : -50°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8

Paket / fall : PowerPAK® 1212-8

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI710 , SI7100D

Dokumente für SI7100DN-T1-GE3

Datenblätter : SI7100DN-T1-GE3.pdf

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