IXFA4N100Q - MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263

Hersteller Teilenummer

IXFA4N100Q

Interne Teilenummer

ABC-IXFA4N100Q

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

108112 Pieces

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Technische Daten für IXFA4N100Q

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXFA4N100Q

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263

Serie : HiPerFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1050pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 150W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-263 (IXFA)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXFA4N100Q

Datenblätter : IXFA4N100Q.pdf

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