FDB8896-F085 - MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Hersteller Teilenummer

FDB8896-F085

Interne Teilenummer

ABC-FDB8896-F085

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

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Technische Daten für FDB8896-F085

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDB8896-F085

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Serie : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A (Ta), 93A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.7 mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 67nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2525pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 80W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-263AB

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDB8896-F085

Datenblätter : FDB8896-F085.pdf

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