SSM6J507NU,LF - MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SSM6J507NU,LF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SSM6J507NU,LF
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
Serie : U-MOSVI
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : +20V, -25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1150pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.25W (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-UDFNB (2x2)
Paket / fall : 6-WDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : SSM6 , SSM6J5

Dokumente für SSM6J507NU,LF

Datenblätter : SSM6J507NU,LF.pdf

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