SQJ200EP-T1_GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

Hersteller Teilenummer

SQJ200EP-T1_GE3

Interne Teilenummer

ABC-SQJ200EP-T1_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1328418 Pieces

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Technische Daten für SQJ200EP-T1_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQJ200EP-T1_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A, 60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 975pF @ 10V

Leistung max : 27W, 48W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : PowerPAK® SO-8 Dual

Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SQJ20 , SQJ200E

Dokumente für SQJ200EP-T1_GE3

Datenblätter : SQJ200EP-T1_GE3.pdf

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