MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E - IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Hersteller Teilenummer

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

Interne Teilenummer

ABC-MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

Hersteller

Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

42068 Pieces

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Technische Daten für MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

Hersteller : Micron Technology Inc.

Beschreibung : IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

Speichertyp : Non-Volatile

Speicherformat : FLASH, RAM

Technologie : FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2

Speichergröße : 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)

Taktfrequenz : 533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : -

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.8V

Betriebstemperatur : -25°C ~ 85°C (TA)

Befestigungsart : -

Paket / fall : -

Supplier Device Package : -

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : MT29RZ4B , MT29RZ4B2DZZ

Dokumente für MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

Datenblätter : MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E.pdf

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