APTGT75H60T1G - POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1

Hersteller Teilenummer

APTGT75H60T1G

Interne Teilenummer

ABC-APTGT75H60T1G

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

68960 Pieces

Referenzpreis

~~USD 21.6894~~

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Technische Daten für APTGT75H60T1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APTGT75H60T1G

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1

Serie : -

Teilestatus : Active

IGBT-Typ : Trench Field Stop

Aufbau : Full Bridge Inverter

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100A

Leistung max : 250W

Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 4.62nF @ 25V

Eingang : Standard

NTC-Thermistor : Yes

Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : SP1

Supplier Device Package : SP1

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : APTG , APTGT7

Dokumente für APTGT75H60T1G

Datenblätter : APTGT75H60T1G.pdf

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