RN1104MFV,L3F - TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für RN1104MFV,L3F

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RN1104MFV,L3F
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 47 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
Frequenz - Übergang : -
Leistung max : 150mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-723
Supplier Device Package : VESM
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : RN11 , RN1104

Dokumente für RN1104MFV,L3F

Datenblätter : RN1104MFV,L3F.pdf

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