FDS6162N3 - MOSFET N-CH 20V 21A 8-SOIC

Hersteller Teilenummer

FDS6162N3

Interne Teilenummer

ABC-FDS6162N3

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 21A 8-SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

109856 Pieces

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Technische Daten für FDS6162N3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDS6162N3

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 21A 8-SOIC

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 21A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5521pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SO

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDS6162N3

Datenblätter : FDS6162N3.pdf

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