STQ2HNK60ZR-AP - MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92

Hersteller Teilenummer

STQ2HNK60ZR-AP

Interne Teilenummer

ABC-STQ2HNK60ZR-AP

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für STQ2HNK60ZR-AP

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STQ2HNK60ZR-AP

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92

Serie : SuperMESH™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 500mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-92-3

Paket / fall : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : STQ2 , STQ2HNK

Dokumente für STQ2HNK60ZR-AP

Datenblätter : STQ2HNK60ZR-AP.pdf

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