EPC2100ENGRT - GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

Hersteller Teilenummer

EPC2100ENGRT

Interne Teilenummer

ABC-EPC2100ENGRT

Hersteller

EPC

Kurze Beschreibung

GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

158776 Pieces

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Technische Daten für EPC2100ENGRT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : EPC2100ENGRT

Hersteller : EPC

Beschreibung : GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

Serie : eGaN®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta), 40A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

Leistung max : -

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : Die

Supplier Device Package : Die

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : EPC2100ENGRT.pdf

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