SIHH14N65EF-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK

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MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK
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Technische Daten für SIHH14N65EF-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIHH14N65EF-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 271 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1749pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 156W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® 8 x 8
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : SIHH14 , SIHH14N65

Dokumente für SIHH14N65EF-T1-GE3

Datenblätter : SIHH14N65EF-T1-GE3.pdf

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