1N3600 - DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller Teilenummer

1N3600

Interne Teilenummer

ABC-1N3600

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

512435 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für 1N3600

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 1N3600

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 50V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA

Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr) : 4ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100nA @ 50V

Kapazität @ Vr, F : -

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : DO-204AH, DO-35, Axial

Supplier Device Package : DO-35

Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : 1N3600.pdf

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