STGD6M65DF2 - TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S

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TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für STGD6M65DF2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STGD6M65DF2
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S
Serie : M
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 12A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 24A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 6A
Leistung max : 88W
Energie wechseln : 36µJ (on), 200µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 21.2nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 15ns/90ns
Testbedingung : 400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 140ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : DPAK
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : STG , STGD6

Dokumente für STGD6M65DF2

Datenblätter : STGD6M65DF2.pdf

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