MSRT20060(A)D - DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Hersteller Teilenummer

MSRT20060(A)D

Interne Teilenummer

ABC-MSRT20060(A)D

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

38208 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für MSRT20060(A)D

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : MSRT20060(A)D

Hersteller : GeneSiC Semiconductor

Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodenkonfiguration : 1 Pair Series Connection

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 200A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : Three Tower

Supplier Device Package : Three Tower

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : MSRT , MSRT20

Dokumente für MSRT20060(A)D

Datenblätter : MSRT20060(A)D.pdf

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