FDS8870_G - INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller Teilenummer

FDS8870_G

Interne Teilenummer

ABC-FDS8870_G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

INTEGRATED CIRCUIT

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

79497 Pieces

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Technische Daten für FDS8870_G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDS8870_G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : INTEGRATED CIRCUIT

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 112nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4615pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SOIC

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FDS , FDS8

Dokumente für FDS8870_G

Datenblätter : FDS8870_G.pdf

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