BUK653R5-55C,127 - MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB

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MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
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Technische Daten für BUK653R5-55C,127

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BUK653R5-55C,127
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Serie : TrenchMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 191nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11516pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 263W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für BUK653R5-55C,127

Datenblätter : BUK653R5-55C,127.pdf

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