IXTN200N10T - MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227

Hersteller Teilenummer

IXTN200N10T

Interne Teilenummer

ABC-IXTN200N10T

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

49387 Pieces

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Technische Daten für IXTN200N10T

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXTN200N10T

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227

Serie : TrenchMV™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 152nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9400pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 550W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Supplier Device Package : SOT-227B

Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXTN200N10T

Datenblätter : IXTN200N10T.pdf

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