S1MHE3_A/H - DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller Teilenummer

S1MHE3_A/H

Interne Teilenummer

ABC-S1MHE3_A/H

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

6845643 Pieces

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Technische Daten für S1MHE3_A/H

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : S1MHE3_A/H

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Serie : Automotive, AEC-Q100

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 1.8µs

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-214AC, SMA

Supplier Device Package : DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : S1M , S1MHE

Dokumente für S1MHE3_A/H

Datenblätter : S1MHE3_A/H.pdf

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