SIZ200DT-T1-GE3 - MOSFET N-CH DUAL 30V

Hersteller Teilenummer

SIZ200DT-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SIZ200DT-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH DUAL 30V

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1344021 Pieces

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Technische Daten für SIZ200DT-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIZ200DT-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH DUAL 30V

Serie : TrenchFET® Gen IV

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 10V, 30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V

Leistung max : 4.3W (Ta), 33W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Supplier Device Package : 8-PowerPair® (3.3x3.3)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIZ20 , SIZ200D

Dokumente für SIZ200DT-T1-GE3

Datenblätter : SIZ200DT-T1-GE3.pdf

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