SI3460DDV-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP

Hersteller Teilenummer

SI3460DDV-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI3460DDV-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für SI3460DDV-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI3460DDV-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 8V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 666pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 6-TSOP

Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI346 , SI3460DD

Dokumente für SI3460DDV-T1-GE3

Datenblätter : SI3460DDV-T1-GE3.pdf

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