NP100P06PDG-E1-AY - MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Hersteller Teilenummer

NP100P06PDG-E1-AY

Interne Teilenummer

ABC-NP100P06PDG-E1-AY

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

50336 Pieces

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Technische Daten für NP100P06PDG-E1-AY

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NP100P06PDG-E1-AY

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 15000pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta), 200W (Tc)

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-263

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für NP100P06PDG-E1-AY

Datenblätter : NP100P06PDG-E1-AY.pdf

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