BSC020N03LSGATMA2 - LV POWER MOS

Hersteller Teilenummer

BSC020N03LSGATMA2

Interne Teilenummer

ABC-BSC020N03LSGATMA2

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

LV POWER MOS

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1165283 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für BSC020N03LSGATMA2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSC020N03LSGATMA2

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : LV POWER MOS

Serie : *

Teilestatus : Active

FET-Typ : -

Technologie : -

Drain-Source-Spannung (Vdss) : -

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : -

Betriebstemperatur : -

Befestigungsart : -

Supplier Device Package : -

Paket / fall : -

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BSC02 , BSC020N0

Dokumente für BSC020N03LSGATMA2

Datenblätter : BSC020N03LSGATMA2.pdf

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