RJK60S7DPK-M0#T0 - MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG

Hersteller Teilenummer

RJK60S7DPK-M0#T0

Interne Teilenummer

ABC-RJK60S7DPK-M0#T0

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

106872 Pieces

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Technische Daten für RJK60S7DPK-M0#T0

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RJK60S7DPK-M0#T0

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V

Vgs (Max) : +30V, -20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2300pF @ 25V

FET-Funktion : Super Junction

Verlustleistung (max.) : 227.2W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-3PSG

Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für RJK60S7DPK-M0#T0

Datenblätter : RJK60S7DPK-M0#T0.pdf

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