HAT2299WP-EL-E - MOSFET N-CH WPAK

Hersteller Teilenummer

HAT2299WP-EL-E

Interne Teilenummer

ABC-HAT2299WP-EL-E

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH WPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

86944 Pieces

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Technische Daten für HAT2299WP-EL-E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : HAT2299WP-EL-E

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH WPAK

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 14A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 710pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 25W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-WPAK

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : HAT2 , HAT2299

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Datenblätter : HAT2299WP-EL-E.pdf

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