PSMN7R6-60XSQ - MOSFET N-CH 60V TO220AB

Hersteller Teilenummer

PSMN7R6-60XSQ

Interne Teilenummer

ABC-PSMN7R6-60XSQ

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V TO220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

46150 Pieces

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Technische Daten für PSMN7R6-60XSQ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PSMN7R6-60XSQ

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V TO220AB

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 51.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.8 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.6V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2651pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 46W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220F

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : PSMN , PSMN7R

Dokumente für PSMN7R6-60XSQ

Datenblätter : PSMN7R6-60XSQ.pdf

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