DMN61D8LVTQ-13 - MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Hersteller Teilenummer

DMN61D8LVTQ-13

Interne Teilenummer

ABC-DMN61D8LVTQ-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMN61D8LVTQ-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN61D8LVTQ-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 630mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 150mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.74nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 12.9pF @ 12V

Leistung max : 820mW

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Supplier Device Package : TSOT-26

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : DMN61D8LVTQ-13.pdf

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