CSD17581Q3AT - 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

Hersteller Teilenummer

CSD17581Q3AT

Interne Teilenummer

ABC-CSD17581Q3AT

Hersteller

T-I

Kurze Beschreibung

30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1189398 Pieces

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Technische Daten für CSD17581Q3AT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : CSD17581Q3AT

Hersteller : T-I

Beschreibung : 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

Serie : NexFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.7V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3640pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 63W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-VSONP (3x3.15)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für CSD17581Q3AT

Datenblätter : CSD17581Q3AT.pdf

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