SI5513DC-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Hersteller Teilenummer

SI5513DC-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI5513DC-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SI5513DC-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI5513DC-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N and P-Channel

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.1A, 2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

Leistung max : 1.1W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead

Supplier Device Package : 1206-8 ChipFET™

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI551 , SI5513D

Dokumente für SI5513DC-T1-GE3

Datenblätter : SI5513DC-T1-GE3.pdf

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