IRF6709S2TR1PBF - MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

Hersteller Teilenummer

IRF6709S2TR1PBF

Interne Teilenummer

ABC-IRF6709S2TR1PBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

40640 Pieces

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Technische Daten für IRF6709S2TR1PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF6709S2TR1PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Ta), 39A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.8 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1010pF @ 13V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta), 21W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DIRECTFET S1

Paket / fall : DirectFET™ Isometric S1

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRF67 , IRF6709

Dokumente für IRF6709S2TR1PBF

Datenblätter : IRF6709S2TR1PBF.pdf

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