DN2535N3-G-P013 - MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3

Hersteller Teilenummer

DN2535N3-G-P013

Interne Teilenummer

ABC-DN2535N3-G-P013

Hersteller

Microchip Technology

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für DN2535N3-G-P013

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DN2535N3-G-P013

Hersteller : Microchip Technology

Beschreibung : MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 350V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120mA (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 Ohm @ 120mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 25V

FET-Funktion : Depletion Mode

Verlustleistung (max.) : 1W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-92 (TO-226)

Paket / fall : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DN2535N3-G-P013

Datenblätter : DN2535N3-G-P013.pdf

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