STD15N60M2-EP - MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK

Hersteller Teilenummer

STD15N60M2-EP

Interne Teilenummer

ABC-STD15N60M2-EP

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

511560 Pieces

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Technische Daten für STD15N60M2-EP

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STD15N60M2-EP

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK

Serie : MDmesh™ M2-EP

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 378 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 110W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DPAK

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für STD15N60M2-EP

Datenblätter : STD15N60M2-EP.pdf

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