BYV29G-600,127 - DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK

Hersteller Teilenummer

BYV29G-600,127

Interne Teilenummer

ABC-BYV29G-600,127

Hersteller

WeEn Semiconductors

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

63729 Pieces

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Technische Daten für BYV29G-600,127

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BYV29G-600,127

Hersteller : WeEn Semiconductors

Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 9A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 8A

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 60ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 50µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F : -

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Supplier Device Package : I2PAK

Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BYV2 , BYV29G-

Dokumente für BYV29G-600,127

Datenblätter : BYV29G-600,127.pdf

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