PMFPB8032XP,115 - MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

Hersteller Teilenummer

PMFPB8032XP,115

Interne Teilenummer

ABC-PMFPB8032XP,115

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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2217642 Pieces

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Technische Daten für PMFPB8032XP,115

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PMFPB8032XP,115

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 10V

FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.) : 485mW (Ta), 6.25W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 6-HUSON-EP (2x2)

Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : PMFPB8032XP,115.pdf

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