DMS2120LFWB-7 - MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN

Hersteller Teilenummer

DMS2120LFWB-7

Interne Teilenummer

ABC-DMS2120LFWB-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMS2120LFWB-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMS2120LFWB-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 632pF @ 10V

FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-DFN3020B (3x2)

Paket / fall : 8-VDFN Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : DMS2120LFWB-7.pdf

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