RD3S100CNTL1 - NCH 190V 10A POWER MOSFET

Hersteller Teilenummer

RD3S100CNTL1

Interne Teilenummer

ABC-RD3S100CNTL1

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

NCH 190V 10A POWER MOSFET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

742224 Pieces

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Technische Daten für RD3S100CNTL1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RD3S100CNTL1

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : NCH 190V 10A POWER MOSFET

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 190V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 182 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 85W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : RD3S , RD3S10

Dokumente für RD3S100CNTL1

Datenblätter : RD3S100CNTL1.pdf

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