TK31V60W5,LVQ - MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Hersteller Teilenummer

TK31V60W5,LVQ

Interne Teilenummer

ABC-TK31V60W5,LVQ

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für TK31V60W5,LVQ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK31V60W5,LVQ

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Serie : DTMOSIV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 109 mOhm @ 15.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 300V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 240W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 4-DFN-EP (8x8)

Paket / fall : 4-VSFN Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : TK31V60W5,LVQ.pdf

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