MJD122T4G - TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

Hersteller Teilenummer

MJD122T4G

Interne Teilenummer

ABC-MJD122T4G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2768773 Pieces

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Technische Daten für MJD122T4G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : MJD122T4G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

Serie : -

Teilestatus : Active

Transistortyp : NPN - Darlington

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 8A

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 100V

Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 4V @ 80mA, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 1000 @ 4A, 4V

Leistung max : 1.75W

Frequenz - Übergang : 4MHz

Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Supplier Device Package : DPAK

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für MJD122T4G

Datenblätter : MJD122T4G.pdf

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