STI12N65M5 - MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK

Hersteller Teilenummer

STI12N65M5

Interne Teilenummer

ABC-STI12N65M5

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für STI12N65M5

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STI12N65M5

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK

Serie : MDmesh™ V

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 70W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I2PAK

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für STI12N65M5

Datenblätter : STI12N65M5.pdf

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