NSB8GTHE3_A/I - DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

Hersteller Teilenummer

NSB8GTHE3_A/I

Interne Teilenummer

ABC-NSB8GTHE3_A/I

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für NSB8GTHE3_A/I

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NSB8GTHE3_A/I

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 8A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Supplier Device Package : TO-263AB

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : NSB8 , NSB8GT

Dokumente für NSB8GTHE3_A/I

Datenblätter : NSB8GTHE3_A/I.pdf

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MC04YC223KAA	AVX Corporation	Ceramic Capacitors 0.022UF 16V X7R AXIAL.
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