RJK2006DPE-00#J3 - MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK

Hersteller Teilenummer

RJK2006DPE-00#J3

Interne Teilenummer

ABC-RJK2006DPE-00#J3

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

70144 Pieces

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Technische Daten für RJK2006DPE-00#J3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RJK2006DPE-00#J3

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 40A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 4-LDPAK

Paket / fall : SC-83

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : RJK20 , RJK2006D

Dokumente für RJK2006DPE-00#J3

Datenblätter : RJK2006DPE-00#J3.pdf

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