RQ1C065UNTR - MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

Hersteller Teilenummer

RQ1C065UNTR

Interne Teilenummer

ABC-RQ1C065UNTR

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für RQ1C065UNTR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RQ1C065UNTR

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 870pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TSMT8

Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für RQ1C065UNTR

Datenblätter : RQ1C065UNTR.pdf

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