NP23N06YDG-E1-AY - MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

Hersteller Teilenummer

NP23N06YDG-E1-AY

Interne Teilenummer

ABC-NP23N06YDG-E1-AY

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

51456 Pieces

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Technische Daten für NP23N06YDG-E1-AY

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NP23N06YDG-E1-AY

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 23A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1W (Ta), 60W (Tc)

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-HSON

Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : NP23N , NP23N06Y

Dokumente für NP23N06YDG-E1-AY

Datenblätter : NP23N06YDG-E1-AY.pdf

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