NP36P04KDG-E1-AY - MOSFET P-CH 40V 36A TO-263

Hersteller Teilenummer

NP36P04KDG-E1-AY

Interne Teilenummer

ABC-NP36P04KDG-E1-AY

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 40V 36A TO-263

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

50560 Pieces

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Technische Daten für NP36P04KDG-E1-AY

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NP36P04KDG-E1-AY

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET P-CH 40V 36A TO-263

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta), 56W (Tc)

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-263

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : NP36P04KDG-E1-AY.pdf

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