ZXMN2F30FHQTA - MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Hersteller Teilenummer

ZXMN2F30FHQTA

Interne Teilenummer

ABC-ZXMN2F30FHQTA

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

4641252 Pieces

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Technische Daten für ZXMN2F30FHQTA

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : ZXMN2F30FHQTA

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 452pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.4W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-23-3

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : ZXMN , ZXMN2F

Dokumente für ZXMN2F30FHQTA

Datenblätter : ZXMN2F30FHQTA.pdf

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